a.实验电炉使用(yong)时(shi),炉温不得长时(shi)间超过额(e)定温度(du),也(ye)不可低于(yu)额(e)定温度(du)太多来使用(yong),以免损坏发热(re)元件。
b.发热元件(jian)硅(gui)碳棒(bang)和(he)硅(gui)钼棒(bang)硬而脆,故(gu)在装卸时(shi)应特别小心。
c.硅碳棒(bang)和硅钼棒(bang)都(dou)应存放在干燥的地(di)方,以防(fang)镀(du)铝端(duan)头受(shou)潮(chao)变质。
d.熔融的KOH、NaOH、Na2CO3和 K2CO3 在(zai)红热温度时分(fen)解SiC,硅碳(tan)棒(bang)与碱(jian)、碱(jian)土金属、硫酸(suan)盐、硼化(hua)物等(deng)接(jie)触(chu)会(hui)被腐蚀,应严禁它们与硅碳(tan)棒(bang)接(jie)触(chu)。
e.硅碳棒(bang)(bang)接(jie)线应与棒(bang)(bang)冷(leng)端(duan)的白色铝头(tou)紧密接(jie)触,以免发(fa)生打火现象。
f.硅碳棒在(zai)(zai)(zai)600℃时与(yu)Cl2发(fa)生反(fan)应,在(zai)(zai)(zai)1300-1400℃时与(yu)水(shui)蒸气发(fa)生反(fan)应,硅碳棒在(zai)(zai)(zai)1000℃以下不(bu)被氧(yang)化(hua),在(zai)(zai)(zai)1350℃时显(xian)著地氧(yang)化(hua),在(zai)(zai)(zai)1350-1500℃之间形成SiO2保(bao)护膜附着(zhe)在(zai)(zai)(zai)硅碳棒表面,阻(zu)止SiC再继续(xu)氧(yang)化(hua)。
g.高温实验电阻(zu)炉在使用前应(ying)确认电源(yuan)接头接触良好,电源(yuan)线绝缘符合要(yao)求;
h.炉(lu)门(men)或者炉(lu)盖(gai)(gai)旁边(bian)装设(she)的(de)限位开关,应保(bao)证(zheng)反应灵敏,炉(lu)门(men)或炉(lu)盖(gai)(gai)一开启,回路立(li)即断(duan)电(dian);
i.控制气氛(fen)电阻(zu)炉配备的气体流(liu)量计(ji)和压力表(biao),要指(zhi)示准(zhun)确且(qie)灵敏(min);
j.通(tong)入(ru)易燃易爆(bao)气氛(fen)的电阻炉(lu),要(yao)具备炉(lu)温低于760°C的报警和必要(yao)的联(lian)锁装置,以避(bi)免爆(bao)炸(zha);
k.控制气(qi)氛炉的防爆(bao)安(an)全(quan)装置要灵活(huo)可(ke)靠;
l.通水(shui)(shui)冷却的电(dian)阻炉应安装水(shui)(shui)温、水(shui)(shui)压和流量继电(dian)器,出(chu)现不(bu)正常(chang)情(qing)况即(ji)切断主回路电(dian)源,并发出(chu)报(bao)警信号;
m.炉体的(de)接地螺(luo)栓(shuan)要牢固可靠;
n.炉壳(qiao)外面韵裸露(lu)电热(re)体要有安(an)全可靠的防护罩。
0.不可让(rang)没(mei)(mei)有操作过或(huo)没(mei)(mei)有经过培训的人员(yuan)去(qu)操作实验(yan)电(dian)炉。
a.实验电炉使(shi)用(yong)时(shi),炉温不得(de)长时(shi)间超过额定温度,也不可(ke)低于额定温度太多来使(shi)用(yong),以免损坏(huai)发热(re)元件。
b.发热(re)元件(jian)硅碳棒(bang)和(he)硅钼棒(bang)硬而脆,故(gu)在装卸时应特别小心。
c.硅碳(tan)棒和硅钼棒都(dou)应存放(fang)在干燥(zao)的地方,以防镀铝端头受(shou)潮变质。
d.熔(rong)融的KOH、NaOH、Na2CO3和(he) K2CO3 在红热温度时(shi)分解SiC,硅碳棒与碱、碱土金属、硫酸盐、硼化物(wu)等接(jie)触会被腐(fu)蚀,应严禁它(ta)们与硅碳棒接(jie)触。
e.硅碳棒(bang)接(jie)(jie)线应与棒(bang)冷(leng)端的白色铝头(tou)紧密接(jie)(jie)触,以免(mian)发(fa)生打火现象(xiang)。
f.硅(gui)碳(tan)棒在(zai)(zai)600℃时(shi)(shi)与(yu)Cl2发生反(fan)应,在(zai)(zai)1300-1400℃时(shi)(shi)与(yu)水蒸(zheng)气发生反(fan)应,硅(gui)碳(tan)棒在(zai)(zai)1000℃以下不被氧化,在(zai)(zai)1350℃时(shi)(shi)显(xian)著地氧化,在(zai)(zai)1350-1500℃之间(jian)形成SiO2保(bao)护(hu)膜附着在(zai)(zai)硅(gui)碳(tan)棒表面(mian),阻止SiC再继(ji)续氧化。
g.高温实验电阻炉在使用前应(ying)确认电源接头接触(chu)良好,电源线绝(jue)缘符合要求;
h.炉(lu)门或者炉(lu)盖(gai)旁边装设的限位开(kai)关,应保证反应灵敏,炉(lu)门或炉(lu)盖(gai)一开(kai)启,回路立即断电;
i.控(kong)制(zhi)气(qi)(qi)氛电阻炉配备的气(qi)(qi)体(ti)流量计和压力表,要指示(shi)准确且灵敏;
j.通入易燃易爆气氛的(de)电阻炉,要具备(bei)炉温低(di)于760°C的(de)报(bao)警和必要的(de)联(lian)锁装置,以避免爆炸;
k.控制气氛炉的防爆安全装置要灵活可靠(kao);
l.通水冷却的电(dian)阻炉(lu)应安装水温、水压(ya)和流量继电(dian)器,出(chu)现不正(zheng)常情(qing)况即切(qie)断主(zhu)回路(lu)电(dian)源,并发出(chu)报(bao)警信号;
m.炉体的接地螺(luo)栓要牢固可靠(kao);
n.炉壳外面韵裸露电(dian)热体要有(you)安全可(ke)靠的(de)防护罩(zhao)。
0.不可让没有操作过(guo)或没有经过(guo)培训的(de)人员去操作实验电炉。
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